LC-VCO的等效电路如图1所示，实践使用中L1和L2由带中心抽头的对称电感组成，抽头接电流源（图中i）。

  为减小Rj，vdd一般由电流源可由PMOS管完成，也可由电阻完成，两者在工程中都有使用，差异主要是低中频的闪耀噪声和热噪声及电流是否固定，详细差异今后有时机再跟我们共享。

  R1、R2、C1、C2组成LC-VCO的电容阵列，其间R1、R2为MOS管的导通或关断电阻，C1、C2一般为MOM电容，电容阵列（图中Cap Array Unit）一般带有二进制权重（如1：2：4：8：16）。

  交差耦合管M1、M2构成负阻用于抵消LC振动环中的寄生电阻，以保持等幅振动。为了简化剖析图1中没有画出varacor电容，varactor电容用于调整VCO的输出频率。

  可经过核算或前面阻抗改换中介绍的sp仿真得到电容阵列的等效并联电阻Rpc及并联电容Cpc。图1中电感为抱负电感，感值为L1+L2，假如为非抱负电感可经过电感的S参数模型仿真出等效电感、电容、电阻，为便于剖析这儿简化成了抱负电感。

  经过画小信号可得，A、B两点向下看进去的等效并联阻抗为Rpm=-2/gm，（gm1=gm2=gm），A、B两点向下看进去的等效并联电容为Cpm。为保持振动，有下式建立：

  其间gm为M1或M2的跨导，Rpc为电容阵列的等效并联电阻（工程中还要与电感和varactor电容的等效并联电阻进行并联）。

  Rpc、Rpm及gm只影响起振及振动起伏，振动频率只取决于L1、L2、Cpc、Cpm。

  注：仿线的等效并联电阻及电容时，应给A、B两点合理的共模电压，由于共模电压会影响并联阻抗；假如A、B两点振动起伏较大，使得M1和M2管处于大信号状况小信号sp仿真将不再适用，应选用pss+psp进行大信号仿真。

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  设置进程，画出gm/ID--ID/W等曲线，并导出gm/ID--ID/W数据到Excel表。

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