能彼此转化的压电器材，能量的改变发生在共振频率点上。石英晶体可以等效为电感的串并联模型。

  晶振的串联谐振频率为Fs， 并联谐振频率为Fa，在小于Fs和大于Fa的频率，表现为电容性，而在Fs和Fa之间，表现为电理性。关于晶振电路，期望作业在Fs和Fa之间，而接近Fs的当地。

  在Fs到Fa之间的区域，称为晶振的“并联谐振区”，在这一区域晶振作业在并联谐振状况。晶振出现电感特性，带来了180度的相移。频率的表达式为：

  Fp便是咱们晶振作业的频率，因为Fp中，其他参数确认，唯有Cl值能调理，所以能经过调整晶振的负载电容值Cl到达调理频率的意图。而且一般的温度补偿晶振电路也是经过调理Cl的值到达意图。

  关于一个32.768K的晶振，依照模型参数仿真，对晶体模型两头加沟通信号，可以仿真得到其阻抗随频率的曲线。和理论值共同。

  在晶体振动电路中，最常见的结构为Pierce振动器。而对晶体振动电路的剖析，第一是运用负阻的概念，第二是运用增益与相位原理。

  因为前面的剖析，得到晶振在串联谐振频率处阻抗为Rs，则需求振动电路供给-Rs的阻抗。而晶振发生了180的相移，在振动频率出表现为电感的特性，则需求振动电路供给电容的特性。

  关于Pierce振动电路的负阻的核算，如下图，在Razavi的书中有描绘。

  而在实践的运用中，还包含由晶振的C0以及MOS的Cgd和pcb上的杂散电容等构成的电容C3， 包含C3的电路的阻抗如下图所示。

  Zc值是一个关于gm的函数，取Zc的实部，得到的便是振动电路的负阻值。关于Zc在复平面上，得到下面的图。

  到这儿，保持电路起振所需求的gm值可以近似核算出来，也可以终究靠matlab对上面的式子求解，得到准确的值。近似核算和matlab得到的值相差不大。

  在Sanser的书中，近似核算表达式如下图，包含gma, gmmax,以及最大负阻值。（此公式能容易地近似核算。）

  确认了电路的gm_crit值，也便是电路能起振的最小值后，在电路规划中，取实践的gm值约510倍gm_crit.即取gm约10u20u。

  假定电路运用电流源驱动NMOS管。关于这类电路规划，一般供给gm的nmos管处于亚阈值区，所以gm值主要与电流值成正比。

  假如gm值依照核算出来的gm_opt取值，则需求的电流值大约，而在低功耗规划中，一般取5倍以上的最小gm值即可。本规划示例依照10倍取值，即gm=16uA/V。 仿线uA/V, 稳态电流为1uA。一起仿线倍的晶振ESR电阻。

  gm的仿真：输入加AC电压，加沟通开关断开直流，输出运用沟通开关接到地，测验输出的沟通电流值。

  负阻的仿真：输入输出加沟通电流，丈量输入输出的沟通电压差，并运用核算器取实部（real函数），即可。也可以正常的运用sp仿线的值。

  还有一个重要的参数便是晶振的驱动等级DL，假如规划的电路，使得晶振的DL大于晶振要求的DL值，则晶振可能会损坏。

  在晶振电路的规划中，最常见的一种电路结构如下图，可以当作一个反相器加反应电阻做放大器，而外部的Rext的效果便是约束DL值。Rext的值可以用公式核算。

  对应MCU、ROMan

  振的匹配电容选取一向不置可否，选一个1.5倍负载电容的电容上去芯片也能用，后边觉得这样对自己和对项目

  的规划概述 /

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  起振条件及调试 /

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  IC的负电阻值（-R）至少为晶振等效阻抗的3~5倍以上，即绝对值-R

  中的负阻一般多大？ /

  中，一个或多个元件经过反应机制，将一部分能量从输出端回馈到输入端，以此来完成信号的自继续发生。

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  有关PL端运用AXI总线操控PS端DDR进行读写（从机wready信号一向不拉高）

  全志H616（BIGTREETECH CB1）和 博通BCM2711（树莓派4B）CPU比照测验