-- [t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流添加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大;

  -- [t2-t3]区间，至t2 时间，MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大幅度提高，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压添加，而DS电容上的电压持续减小;

  -- [t3-t4]区间，至t3 时间，MOSFET 的DS 电压降至饱满导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一同由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升，至t4 时间停止。此刻GS 电容电压已达稳态，DS 电压也达最小，即安稳的通态压降。

  -- [t5-t6]区间，MOSFET 的Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降，在t6 时间，MOSFET 的通态电阻轻轻上升，DS 电压梢稍添加，但DS 电流不变;

  -- [t7-t8]区间，至t7 时间，MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 相同的电压，Millier 电容敏捷减小，GS 电容开端持续放电，此刻DS 电容上的电压敏捷上升，DS 电流则敏捷下降;

  -- [t8-t9]区间，至t8 时间，GS 电容已放电至Vth，MOSFET 彻底关断;该区间内GS 电容持续放电直至零。

  为MOSFET 器材与二极管回路中的一切散布电感只和。一般也可将这个损耗当作器材的理性关断损耗。

  (B)从器材商的DATASHEET 中挑选正真合适的MOSFET，可多选一些以便试验时比较;

  (C)从所选的MOSFET 的其它参数，如正向通态电阻，结电容等等，预算其作业时的最大损耗，与其它元器材的损耗一同，预算变换器的功率;

  现在作为开关的电子器材十分多。在开关电源中，用得最多的是二极管、MOSFET、IGBT 等，以及它们的组合。

  -- 高频功率器材：如MOSFET，快康复二极管，萧特基二极管，SIT 等