，常见MOS管的作业原理图，并介绍了推挽式功率改换电路和有驱动变压器的功率改换电路，下面与

  现在使用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管)，是使用半导体外表的电声效应进行作业的。也称为外表场效应器材。因为它的栅极处于不导电状况，所以输入电阻能够大幅度进步，最高可达105欧姆，MOS管是使用栅源电压的巨细，来改动半导体外表感生电荷的多少，然后操控漏极电流的巨细。

  R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力削减，EMI削减，不发生二次击穿。在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易发生尖峰电压和尖峰电流，这些元件组合一同，能很好地吸收尖峰电压和电流。从R3测得的电流峰值信号参加当前作业周波的占空比操控，因此是当前作业周波的电流约束。当R5上的电压到达1V时，UC3842停止作业，开关管Q1当即关断。R1和Q1中的结电容CGS、CGD一同组成RC网络，电容的充放电直接影响着开关管的开关速度。R1过小，易引起振动，电磁搅扰也会很大;R1过大，会下降开关管的开关速度。Z1通常将MOS管的GS电压约束在18V以下，然后维护了MOS管。Q1的栅极受控电压为锯形波，当其占空比越大时，Q1导通时间越长，变压器所贮存的能量也就越多;当Q1截止时，变压器经过D1、D2、R5、R4、C3开释能量，一起也到达了磁场复位的意图，为变压器的下一次存储、传递能量做好了预备。IC根据输出电压和电流时间调整着⑥脚锯形波占空比的巨细，然后安稳了整机的输出电流和电压。C4和R6为尖峰电压吸收回路。